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申请/专利权人：晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
摘要：本发明公开了一种TBC太阳能电池的制备方法和TBC太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该TBC太阳能电池制备方法包括：在硅基体的第一主表面依次层叠形成第一隧穿氧化层、p型掺杂层和第一保护层；采用预先制备的掩膜版覆盖第一保护层；沿硅基体第一主表面的第二方向，激光处理去除第一激光处理位置对应的第一保护层，并去除掩膜版；沿所述硅基体第一主表面的第一方向，激光处理去除第二激光处理位置对应的第一保护层；去除未被第一保护层覆盖的区域的第一隧穿氧化层和p型掺杂层，形成p掺杂区；在去除第一隧穿氧化层的区域形成n掺杂区和隔离区。该实施方式可以避免两次激光处理区域的出现，缩短了TBC太阳能电池的制备时间。
主权项：1.一种TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、在硅基体（10）的第一主表面依次层叠形成第一隧穿氧化层（20）、p型掺杂层（30）和第一保护层（40）；步骤B、采用预先制备的掩膜版（110）覆盖所述第一保护层（40），其中，所述掩膜版（110）包括平行且间隔设置的多个掩膜区（111），其中，所述掩膜区（111）沿所述硅基体（10）第一主表面的第一方向延伸；步骤C、沿所述硅基体（10）第一主表面的第二方向，激光处理去除所述第一激光处理位置（120）对应的第一保护层（40），使所述掩膜区（111）所覆盖的区域之外的其他区域上第一保护层（40）等间距排列，并去除所述掩膜版（110）；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；步骤D、沿所述硅基体（10）第一主表面的第一方向，激光处理去除所述第二激光处理位置（130）对应的第一保护层（40），使未被所述第一保护层（40）覆盖的区域和剩余的第一保护层（40）呈指交叉排列；步骤E、通过化学腐蚀方式，去除未被所述第一保护层（40）覆盖的区域的所述第一隧穿氧化层（20）和所述p型掺杂层（30），形成p掺杂区；步骤F、在去除所述第一隧穿氧化层（20）的区域形成n掺杂区和隔离区，其中，所述隔离区位于所述n掺杂区和所述p掺杂区之间。
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权利要求：
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