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抗湿性Pd-WO3/WS2三元复合气敏元件的工作方法 

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申请/专利权人:大连理工大学

摘要:抗湿性Pd‑WO3WS2三元复合气敏元件的工作方法,属于半导体气敏材料技术领域。该材料以WO3WS2为基底材料及表面负载贵金属钯,以钨酸钠为钠源,硫脲为硫源,二水合草酸为形貌调控剂,采用水热法得到WS2纳米花材料,煅烧使WS2部分氧化;再以氯化钯为钯源,抗坏血酸为还原剂,采用浸渍法与WO3WS2结合;最后采用PDMS溶液疏水处理得到最终的Pd‑WO3WS2气敏复合材料。本发明利用Pd‑WO3WS2气敏复合材料疏水化处理构筑超疏水结构,可实现在室温、高湿度(相对湿度约为80%)的环境下超快速(1s)、高选择性的氢气检测。

主权项:1.抗湿性Pd-WO3WS2三元复合气敏元件的工作方法,其特征在于,所述气敏元件的制备方法包括如下步骤:S1.将二水合钨酸钠、硫脲、二水合草酸、乙酸及盐酸进行水热反应,得到的产物离心洗涤,干燥得到WS2纳米花材料,将得到的WS2纳米花材料在马弗炉内煅烧,得到WO3WS2二元复合材料;所述二水合钨酸钠、硫脲、二水合草酸的质量为500mg,115mg,191mg,乙酸及盐酸溶液的用量为30mL,1mL;所述WS2纳米花材料在马弗炉内煅烧温度300℃,煅烧时间为1h;S2.将步骤S1制备的WO3WS2二元复合材料分散到去离子水中并超声,加入氯化钯溶液和抗坏血酸溶液,将所得溶液水浴反应,产物离心洗涤,干燥得到Pd-WO3WS2三元复合材料;所述氯化钯溶液、抗坏血酸溶液的用量为1516μL,1mL;氯化钯溶液、抗坏血酸溶液的摩尔浓度分别为10mM和20mM;所述的Pd-WO3WS2复合材料中Pd原子和W原子的原子百分比为1at%;S3.将步骤S2制备的Pd-WO3WS2三元纳米材料浸渍在聚二甲基硅氧烷溶液中,常温浸渍后将产物离心洗涤,干燥得到抗湿性Pd-WO3WS2三元复合氢气传感材料;S4.将抗湿性Pd-WO3WS2三元复合氢气传感材料与无水乙醇混合后在研钵中研磨均匀得到糊状涂料;将糊状涂料均匀涂覆在印刷有Ag-Pd叉指电极的Al2O3陶瓷基片上,放入真空烘箱50℃干燥24h,得到Pd-WO3WS2三元复合气敏元件;所述Pd-WO3WS2三元复合气敏元件的工作方法为:将Pd-WO3WS2三元复合气敏元件置于室温、相对湿度为80%环境中进行氢气响应检测;所述步骤S1中的水热反应在180℃恒温反应14h;WS2纳米花材料在氮气氛围中60℃干燥24h;所述步骤S2中的水浴反应在60℃恒温反应6h;步骤S3中,经疏水化处理后的Pd-WO3WS2气敏材料在空气氛围中120℃干燥12h。

全文数据:

权利要求:

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