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申请/专利权人：派德芯能半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法，通过P型掺杂区的深度大于伪沟槽栅的深度的设置，可大大增加IGBT器件结构的Cies输入电容；通过N型漂移区与P型掺杂区所形成的PN结反向偏置时，该PN结在P型掺杂区的耗尽线的深度大于伪沟槽栅的深度，可以降低IGBT器件结构的Cres反向传输电容。本申请提供了一种简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法，能够提高IGBT器件结构的CiesCres比例输入电容反向传输电容，实现零压关断，有利于简化驱动电路。
主权项：1.一种简化驱动电路的IGBT器件结构，其特征在于，包括N型漂移区以及设置在所述N型漂移区内的真沟槽栅和伪沟槽栅，每个所述真沟槽栅的两侧均为所述伪沟槽栅；所述N型漂移区内形成有间隔设置的P型掺杂区，相邻所述P型掺杂区之间形成有非掺杂区，所述非掺杂区内设置有一个所述真沟槽栅，所述伪沟槽栅均设置于所述P型掺杂区内，且所述P型掺杂区的深度大于所述伪沟槽栅的深度；所述N型漂移区与所述P型掺杂区所形成的PN结反向偏置时，该PN结在所述P型掺杂区的耗尽线的深度大于所述伪沟槽栅的深度。
全文数据：
权利要求：
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