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申请/专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种N型TBC双POLY电池及其制备方法。本发明通过涂覆、退火方式，在N型基底背面N区图形化区域形成磷浆层、掩膜层，在高温硼扩散的过程中，实现N区和非N区POLY的不同种类掺杂，实现背面双POLO结构。本方法不需要激光开槽，碱刻蚀过程简单且不会出现漏电的风险，而且N区硅片厚度不会减薄，不会影响电池的电流密度。采用本发明制备的电池具有更高的转换效率，同时工艺步骤更少，操作简单，有利于电池的大规模生产。
主权项：1.一种N型TBC双POLY电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）N型基底双面粗抛后抛光；（2）任选一面作背面，沉积遂穿氧化层和非晶硅层；（3）在基底的背面N区图形化区域依次涂覆磷浆层、掩膜层，每次涂覆完后对所述的基底进行烘干和退火处理；（4）对基底背面进行高温扩散，使非N区图形化区域中非晶硅层转化为掺硼的多晶硅层，N区图形化区域中的非晶硅层转化为掺磷的多晶硅层；（5）基底正面刻蚀、制绒，制绒中酸洗去除背面非N图形区的BSG层、N图形区残留的磷浆料和掩膜层；（6）基底双面沉积氧化铝膜；（7）基底双面沉积氮化硅膜；（8）使用激光在基底背面的N区进行图形化开模，去除所述N区的氧化铝膜和氮化硅膜；（9）在基底的背面进行丝网印刷，形成叉指状发射极，制得N型TBC单晶太阳能电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州亿晶光电科技有限公司 一种N型TBC双POLY电池及其制备方法
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