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申请/专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司

摘要：本申请公开一种TBC电池及其制备方法，该制备方法包括对N型硅基底进行碱抛光和硼掺杂，在其背面形成P型掺杂层和掩膜BSG层；激光刻蚀去除两个刻蚀区的掩膜BSG层和P型掺杂层，剩余P型掺杂层与N型硅基底形成PN结；清洗刻蚀区；在N型硅基底背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；磷掺杂形成N型多晶硅层和掩膜PSG层；激光刻蚀去除P型掺杂区的掩膜PSG层和N型多晶硅层；酸清洗去除正面绕镀的掩膜BSG层和N型多晶硅层；正面制绒；在N型硅基底的背面和正面沉积AlOx层，然后依次沉积背面和正面SiNx减反射膜；对完成沉积工艺的N型硅基底进行丝网印刷、激光辅助烧结和测试分选。本申请的制备成本低，生产效率高。

主权项：1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对N型硅基底进行碱抛光；步骤S2：对完成碱抛光的N型硅基底进行硼掺杂，以在N型硅基底的背面形成P型掺杂层，并在所述P型掺杂层表面形成掩膜BSG层；步骤S3：对完成硼掺杂的N型硅基底的背面进行激光刻蚀，使N型硅基底的背面形成P型掺杂区和位于所述P型掺杂区两侧的两个刻蚀区，去除两个所述刻蚀区的掩膜BSG层和P型掺杂层，所述P型掺杂区的P型掺杂层与N型硅基底形成PN结；步骤S4：对两个所述刻蚀区进行清洗，去除所述刻蚀区残余的所述P型掺杂层，以露出平整的N型硅基底；步骤S5：在完成清洗的N型硅基底的背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；步骤S6：对所述多晶硅层进行磷掺杂形成N型多晶硅层，并在所述N型多晶硅层表面形成掩膜PSG层；步骤S7：对完成磷掺杂的N型硅基底背面进行激光刻蚀，去除所述P型掺杂区的所述掩膜PSG层和所述N型多晶硅层；步骤S8：对完成激光刻蚀的N型硅基底进行酸清洗，去除N型硅基底正面绕镀的掩膜BSG层和N型多晶硅层；步骤S9：在完成酸清洗的N型硅基底的正面制绒；步骤S10：在完成制绒工艺的N型硅基底的背面和正面分别沉积AlOx层；步骤S11：在完成沉积工艺的N型硅基底背面沉积背面SiNx减反射膜，然后在N型硅基底的正面沉积正面SiNx减反射膜；步骤S12：对完成沉积工艺的N型硅基底进行丝网印刷、激光辅助烧结和测试分选。

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