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申请/专利权人：RF360新加坡私人有限公司
摘要：本公开的各方面涉及实现具有位于上阻带边缘处的谐振频率的SAW谐振器800的设备、无线通信装置、方法和电路。一个方面是一种包括电极结构870的装置，该电极结构具有叉指换能器。IDT880，该IDT具有第一IDT区域802a与第二IDT区域802b之间的中央IDT区域801。该中央IDT区域具有第一节距级别，并且该第一IDT区域和第二IDT区域具有高于该第一节距级别的第二节距级别。该电极结构还包括反射器，该反射器包括第一反射器区域803a和第二反射器区域803b，每个反射器区域具有低于该第一节距级别和第二节距级别的第三节距级别。
主权项：1.一种谐振器，所述谐振器包括：压电材料；叉指换能器IDT，所述叉指换能器IDT定位在所述压电材料的表面处，所述IDT包括：第一母线；第二母线，所述第二母线平行于所述第一母线；和多个IDT电极指状件，所述多个IDT电极指状件包括从所述第一母线朝向所述第二母线延伸的第一IDT电极指状件和从所述第二母线朝向所述第一母线延伸的第二IDT电极指状件，所述IDT具有多个IDT区域，所述多个IDT区域包括第一IDT区域、第二IDT区域，和所述第一IDT区域与所述第二IDT区域之间的中央IDT区域，其中所述中央IDT区域中的所述IDT电极指状件的节距处于第一节距级别，其中所述第一IDT区域中的所述IDT电极指状件的所述节距处于第二节距级别，其中所述第二IDT区域中的所述IDT电极指状件的所述节距处于所述第二节距级别，并且其中所述第二节距级别高于所述第一节距级别；第一反射器，所述第一反射器定位在所述压电材料的所述表面处，所述第一反射器包括第一反射器电极指状件并且具有第一反射器区域；和第二反射器，所述第二反射器定位在所述压电材料的所述表面处，所述第二反射器包括第二反射器电极指状件并且具有第二反射器区域；其中所述IDT定位在所述第一反射器与所述第二反射器之间，并且其中所述第一反射器区域中的所述第一反射器和所述第二反射器区域中的所述第二反射器的反射器节距处于第三节距级别，所述第三节距级别低于所述第一节距级别和所述第二节距级别。
全文数据：
权利要求：
百度查询： RF360新加坡私人有限公司 用于滤波器设计的具有上阻带边缘处的谐振频率的表面声波（SAW）谐振器的优化
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