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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了三维3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括：衬底以及在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有包括多个花瓣的梅花形状的沟道结构。该沟道结构包括分别在多个花瓣中的多个半导体沟道。
主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底；以及在所述衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有包括多个花瓣的梅花形状的沟道结构，所述沟道结构包括在所述平面图中按下述顺序从外侧到内侧的阻挡层、电荷捕集层和隧穿层以及分别在所述多个花瓣中的多个半导体沟道；以及填充所述沟道结构的剩余空间的帽盖层，其中，所述阻挡层、所述电荷捕集层和所述隧穿层中的每者是遵循所述沟道结构的所述梅花形状的连续层，并且其中，所述帽盖层包括分别延伸到所述多个花瓣的多个部分，并且所述帽盖层的延伸到相应花瓣的每个部分包括被所述相应花瓣中的相应半导体沟道包围的第一部分以及被所述相应花瓣中的所述隧穿层包围的第二部分，并且其中，所述第一部分的宽度在所述平面图中小于所述第二部分的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件
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