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申请/专利权人：贵州师范大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种纳米尺度空气沟道器件结构及其制备方法，该器件包括硅衬底层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、空气沟道、第二金属层，其中空气沟道位于第二介质层一端以及第一金属层与第二金属层之间，该器件的制备方法通过上层金属遮挡一端介质层，另一端暴露进行湿法刻蚀的方法进行空气沟道的制作；本发明解决了现有技术由于发射极和收集极不在一个平面，从而导致集成化困难的问题，适用于电子器件领域。
主权项：1.一种纳米尺度空气沟道器件结构，其特征在于，该器件由下至上依次包括：硅衬底层1、第一介质层2、第一金属层3、第二介质层4、空气沟道5和第二金属层6；所述硅衬底层1用于支撑，所述第一介质层2用于分割所述硅衬底层1和其他层；所述第一金属层3作为发射极或收集极，发射电子或收集电子；所述第二介质层4为阶梯状结构，所述第二介质层4用于分隔所述第一金属层3和所述第二金属层6，所述空气沟道5位于所述第一金属层3和所述第二金属层6之间，所述空气沟道5作为电子传输的沟道，所述第二金属层6为阶梯状结构并位于所述第二介质层4上侧，所述第二金属层6作为收集极或发射极，收集电子或发射电子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贵州师范大学 一种纳米尺度空气沟道器件结构及其制备方法
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