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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种垂直沟道晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；开设有过孔的绝缘层；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层，第二电极层与第一电极层之间绝缘；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第一介质层，第一介质层的厚度小于1纳米；设置在第一介质层远离衬底一侧表面的沟道层；设置在沟道层远离衬底一侧表面的第二介质层；设置在第二介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开利用电极层和沟道层之间所设置的具有超薄厚度的第一介质层，配合沟道层和栅极层之间第二介质层的设置，实现对沟道层良好的保护，减少沟道层在退火过程中所受到的温度影响，从而提高晶体管在高温下的稳定性。
主权项：1.一种垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底一侧表面的绝缘层，所述绝缘层上开设有过孔；设置在所述过孔底部表面的第一电极层，所述第一电极层的厚度小于所述过孔的孔深；设置在所述绝缘层远离所述衬底一侧表面的第二电极层，所述第二电极层与所述第一电极层之间绝缘；设置在所述第一电极层和所述第二电极层远离所述衬底一侧表面的第一介质层，所述第一介质层的厚度小于1纳米；设置在所述第一介质层远离所述衬底一侧表面的沟道层；设置在所述沟道层远离所述衬底一侧表面的第二介质层；设置在所述第二介质层远离所述衬底一侧表面的栅极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种垂直沟道晶体管及其制备方法
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