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申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司

摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，公开一种红光Micro发光二极管的外延片及其制造方法，本外延片包括衬底、缓冲层、N型层、量子阱结构和P型层，缓冲层、N型层、量子阱结构、P型层依次沉积在衬底上；量子阱结构包括未掺杂的第一预设量子阱垒层、多个量子阱和未掺杂的第二预设量子阱垒层，多个量子阱依次沉积在第一预设量子阱垒层上，第二预设量子阱垒层沉积在位于上层的量子阱上，第一预设量子阱垒层沉积在N型层上，P型层沉积在第二预设量子阱垒层上。本外延片能够增加载流子的聚集浓度，从而使得较多的载流子可以注入到量子阱中，提高量子阱中载流子的聚集浓度，由此提高构成的发光二极管的发光效率。

主权项：1.红光Micro发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底（10）、缓冲层（20）、N型层（30）、量子阱结构（40）和P型层（50），所述缓冲层（20）、所述N型层（30）、所述量子阱结构（40）、所述P型层（50）依次沉积在所述衬底（10）上；所述量子阱结构（40）包括未掺杂的第一预设量子阱垒层（41）、多个量子阱（42）和未掺杂的第二预设量子阱垒层（43），多个所述量子阱（42）依次沉积在所述第一预设量子阱垒层（41）上，所述第二预设量子阱垒层（43）沉积在位于上层的所述量子阱（42）上，所述第一预设量子阱垒层（41）沉积在所述N型层（30）上，所述P型层（50）沉积在所述第二预设量子阱垒层（43）上；其中，所述第一预设量子阱垒层（41）和所述第二预设量子阱垒层（43）均包括预设量子阱层（44）和预设量子垒层（45），所述预设量子阱层（44）沉积在所述预设量子垒层（45）上；其中，所述预设量子阱层（44）的组分含量为AlxGa1-X0.5In0.5P，0.6x0.7；所述预设量子垒层（45）的组分含量为AlyGa1-y0.5In0.5P，0.1y0.15；所述预设量子阱层（44）和所述预设量子垒层（45）的厚度均为40埃-80埃；所述N型层（30）包括依次沉积的GaInP腐蚀停止层（31）、n-GaAs欧姆接触层（32）、n-AlInP限制层（33）；在所述n-GaAs欧姆接触层（32）和所述n-AlInP限制层（33）之间还沉积有超晶格层（60），所述超晶格层（60）设置为10-25对超晶格调制掺杂层；所述超晶格层（60）包括第一层（61）和第二层（62）；所述第一层（61）设置为n-AlzGa1-zInP层，其中，0.25Z0.35；所述第二层（62）设置为n-AlαGa1-αInP层，其中，0.42α0.55；所述第一层（61）和所述第二层（62）的厚度均为150埃-280埃。

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