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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：描述了一种集成电路。该集成电路包括横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管。LDMOS位于集成电路的绝缘体层的第一表面上。LDMOS晶体管包括源极区、漏极区和栅极。LDMOS晶体管还包括位于漏极区和栅极之间的次级阱。次级阱的极性与漏极区相反。LDMOS晶体管还包括位于与绝缘体层的第一表面相对的第二表面上的背侧器件。
主权项：1.一种集成电路，包括：横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管，位于绝缘体层的第一表面上，所述LDMOS晶体管包括源极区、漏极区、栅极以及位于所述漏极区与所述栅极之间的次级阱，所述次级阱具有与所述漏极区相反的极性，以形成传导沟道；以及背侧器件，位于与所述绝缘体层的所述第一表面相对的第二表面上，所述背侧器件被形成为与所述栅极的靠近所述次级阱的边缘以及所述次级阱重叠，并且通过改变所述背侧器件的尺寸或位置，所述传导沟道被控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 具有背侧器件的绝缘体上半导体(SOI)层上的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
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