首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司

摘要:本发明公开了一种铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法,铸锭炉包括炉体顶部,中部和底部,炉体内部为炉腔,炉腔内设有隔热笼,隔热笼内设有保温组件,保温组件由护板和底板形成一个容纳空间承载坩埚,保温组件还包括封盖在坩埚上的盖板,其中,炉体中部开设有第一排气口,第一排气管路适于与第一排气口连通,通往炉腔与隔热笼形成的第一空间内;炉体顶部或炉体底部开设有第二排气口,第二排气管路适于与第二排气口连通,通往炉腔与隔热笼形成的第二空间内;排气管路外部连接真空装置,第二排气管路与第一排气管路外部连通;第一排气管路上设有第一阀门,单独控制第一排气口的排气比例;第二排气管路上设有第二阀门,单独控制第二排气口的排气比例。

主权项:1.一种铸锭晶体硅的制备方法,其特征在于,其步骤为:S1:装料;进行籽晶铺底,并将原料装入坩埚中;S2:抽空、检漏;将坩埚放入铸锭炉中,对铸锭炉进行抽空、检漏,检漏时关闭第一、第二排气口,检漏完成后打开第一排气口,运行铸锭炉将温度加热至1450-1550度;S3:加热化料;保持温度在1450-1550度,使得所述原料熔化;S4:长晶;待籽晶达到预留层高度,降低温度,进入铸锭长晶阶段,开启所述第二排气口,控制所述第一排气口和所述第二排气口的排气比例,将长晶温度控制在1410-1440度之间,同时保持0.3-1cmh的速度打开隔热笼,维持定向凝固至长晶结束;S5:冷却;长晶结束,退火冷却,得到铸锭晶体硅;所述铸锭炉包括炉体(1),所述炉体(1)包括炉体顶部(11),炉体中部(12)和炉体底部(13),所述炉体内部的空间为炉腔,所述炉腔内设有隔热笼(3),所述隔热笼(3)内设有保温组件(2),所述保温组件(2)由护板(22)和底板(23)形成一个容纳空间承载用来装料的坩埚(4),所述保温组件还包括盖板(21),所述盖板封盖在所述坩埚(4)上,所述铸锭炉中的进气口(9)位于所述炉体(1)顶部,所述进气口(9)沿所述炉体(1)轴向的中心线对称设置通入隔热笼(3)内部空间;所述炉体中部(12)开设有第一排气口,所述第一排气管路(51)适于与所述第一排气口连通,通往所述炉腔与所述隔热笼(3)形成的第一空间(71)内;所述炉体顶部(11)开设有第二排气口,所述第二排气管路(52)适于与所述第二排气口连通,通往所述炉腔与所述隔热笼(3)形成的第二空间(72)内;所述第二排气管路(52)的外边缘(521)与所述隔热笼外边缘(31)的距离为L1,所述隔热笼外边缘(31)与所述炉体轴向的中心线的距离为L,所述L1L比值为116-14;所述排气管路外部连接真空装置(8),所述第二排气管路(52)与所述第一排气管路(51)外部连通;所述第一排气管路(51)上设有第一阀门(61),单独控制第一排气口的排气比例;所述第二排气管路(52)上设有第二阀门(62),单独控制第二排气口的排气比例;进入长晶初期,控制第一排气口和第二排气口的排气比例是9:1~1:1;随着长晶的进行,逐渐增加第二排气口的排气比例,当铸锭长晶进行5-10h后,控制第一排气口和第二排气口的排气比例是1:1~1:9。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司 铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。