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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明提供了一种反应腔室的穹顶、半导体器件的加工装置及其方法，以及一种计算机可读存储介质。所述反应腔室的穹顶包括：穹顶本体，经由反应腔室盖板安装于所述反应腔室的侧壁之上；多个不同高度的限位块，分布于所述穹顶本体的边缘，用于安装至少一个侧边线圈，并分别调节所述至少一个侧边线圈在对应位置的安装高度，以调节所述反应腔室中对应位置的溅射速率；以及所述至少一个侧边线圈，用于根据流过的射频电流，产生随时间变化的电场，以在所述反应腔室内形成等离子体。
主权项：1.一种反应腔室的穹顶，其特征在于，包括：穹顶本体，经由反应腔室盖板安装于所述反应腔室的侧壁之上；多个不同高度的限位块，分布于所述穹顶本体的边缘，用于安装至少一个侧边线圈，并分别调节所述至少一个侧边线圈在对应位置的安装高度，以调节所述反应腔室中对应位置的溅射速率；以及所述至少一个侧边线圈，用于根据流过的射频电流，产生随时间变化的电场，以在所述反应腔室内形成等离子体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 反应腔室的穹顶、半导体器件的加工装置及方法
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