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申请/专利权人：泉州市云箭测控与感知技术创新研究院;泉州云箭测控信息科技有限公司
摘要：本发明介绍了一种异质键合三维集成封装结构，该结构由EMC总体层、Glass总体层、RDL布线层、连接组件、半导体芯片及钝化层组成。半导体芯片通过晶圆重构技术嵌入EMC树脂和Glass层湿法刻蚀形成的腔体中，实现了高集成度设计。连接组件和Glass层所采用的TGV结构，通过高精度金属对位键合技术连接EMC与Glass层，确保电气导通与结构稳定。RDL结构则提供电气引出，并具有转接板集成扩展性。由于EMC材质特性及其封装过程中产生的翘曲变形，导致EMC晶圆级封装在后续多层的集成布线制备工艺中面临困难，本结构在拥有高集成度与机械强度的同时通过EMC与Glass材料之间的热膨胀系数适配及键合作用力拉伸，有效降低翘曲，满足后续更高密度的布线需求。
主权项：1.一种异质键合三维集成封装结构，其特征在于，由EMC总体层（100）、Glass总体层（200）、上部RDL层（700）、下部RDL层（500）及上部钝化层（800）、下部钝化层（600）构成；所述EMC总体层包括连接组件（110）、第一半导体芯片（120）、环氧树脂（130），所述的Glass总体层包括玻璃（210）、第二半导体芯片（220）以及TGV结构（400）；EMC总体层（100）采用晶圆重构方式，将第一半导体芯片（120）通过贴装和Molding的方式内嵌于环氧树脂中；Glass总体层（200）为湿法刻蚀层，第二半导体芯片（220）通过贴装工艺置于刻蚀腔体之内；两总体层需保证连接组件（110）与TGV结构（400）的通孔露出且表面平坦，通过通孔之间对位进行金属键合形成金属键合结构（300），从而实现两总体层之间的电气互连；所述上部RDL层（700）与下部RDL层（500）实现电气连接与重新分配，上部钝化层（800）和下部钝化层（600）用于RDL层表面保护。
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