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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了沟槽MOSFET器件及其制备方法。该MOSFET器件包括依次贯穿源区和注入区并延伸至外延层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括承压层、第一结构和第二结构，其中：承压层包括绝缘材料，且承压层中具有位于第一结构和第二结构之间的第一区域，第一结构具有第一栅极和第一栅氧层，第一栅氧层位于第一栅极背离第一区域的一侧，第二结构具有导电结构和氧化层，氧化层位于导电结构背离第一区域的一侧，第一栅氧层和氧化层分别与外延层、注入区和源区接触，承压层中还具有位于第一结构的底面和第二结构的底面并与第一区域接触的第二区域。本申请增加了器件的电流密度，降低了器件的输入电容，提高了沟槽MOSFET的高频特性。
主权项：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底的第一表面上层叠设置的外延层、注入区和源区，所述沟槽MOSFET器件还包括依次贯穿所述源区和所述注入区并延伸至所述外延层中的栅沟槽结构，所述栅沟槽结构包括承压层、第一结构和第二结构，其中：所述承压层包括绝缘材料，且所述承压层中具有位于所述第一结构和所述第二结构之间的第一区域，所述第一结构具有第一栅极和第一栅氧层，所述第一栅氧层位于所述第一栅极背离所述第一区域的一侧，并与所述外延层、所述注入区和所述源区接触，所述第二结构具有导电结构和氧化层，所述氧化层位于所述导电结构背离所述第一区域的一侧，并与所述外延层、所述注入区和所述源区接触，所述承压层中还具有位于所述第一结构的底面和所述第二结构的底面并与所述第一区域接触的第二区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 沟槽MOSFET器件及其制备方法
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