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申请/专利权人：北京量子信息科学研究院;清华大学
摘要：本申请公开一种适用于制备电学器件的二维材料转移方法，包括：采用聚乙烯醇薄膜拾取氮化硼，再拾取二维材料层，得聚乙烯醇薄膜‑氮化硼‑二维材料结构，翻转并转移到空白硅片上，得二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片顺序排列结构；采用聚碳酸酯薄膜拾取翻转后的二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片排列结构，得到聚碳酸酯薄膜‑二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片排列结构，放入超纯水中浸泡，除去聚乙烯醇薄膜层和硅片，得聚碳酸酯薄膜‑二维材料‑氮化硼，并定点移至目标衬底后，去除聚碳酸酯薄膜，实现二维材料在氮化硼上面，适用于电极制备。该转移方法可减少气泡、应力和污染，同时具有表面干净、均匀完整、聚合物残留少的特点。
主权项：1.一种适用于制备电学器件的二维材料转移方法，其特征在于，包括：采用聚乙烯醇薄膜拾取氮化硼层，再拾取二维材料层，得聚乙烯醇薄膜-氮化硼-二维材料；将所述聚乙烯醇薄膜-氮化硼-二维材料进行翻转并转移至硅片上，得二维材料-氮化硼-聚乙烯醇薄膜-硅片；采用聚碳酸酯薄膜拾取所述二维材料-氮化硼-聚乙烯醇薄膜-硅片，得聚碳酸酯薄膜-二维材料-氮化硼-聚乙烯醇薄膜-硅片；去除聚乙烯醇薄膜和硅片后，将聚碳酸酯薄膜-二维材料-氮化硼转移至目标衬底，再去除聚碳酸酯薄膜；其中，去除所述聚碳酸酯薄膜后，所述二维材料表面暴露无氮化硼包覆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京量子信息科学研究院 清华大学 一种适用于电学器件的二维材料的转移方法
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