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申请/专利权人:新南创新私人有限公司
摘要:用于处理半导体器件中的TCO材料的表面的方法和装置。本公开提供用于处理半导体器件中的TCO材料的表面部分的方法,所述半导体器件包括被设置成促进一个方向上的电流流动的结构。为执行所述方法,TCO的表面部分暴露于电解液,并且在所述器件中产生电流。所述电流允许以相比于金属材料与非暴露的表面部分的粘附力来提高金属材料与暴露表面部分的粘附力的方式还原TCO材料。
主权项:1.一种用于处理半导体器件中的TCO材料的表面部分的方法,所述半导体器件包括被设置成促进一个方向上的电流流动的结构,所述方法包括以下步骤:将所述TCO材料的所述表面部分暴露于电解液,所述电解液适合在所述TCO材料的区域中产生了电流时对所述TCO材料的部分进行电化学还原;以及在所述TCO材料中产生电流,其中,所述方法按照如下方式执行,所产生的电流还原所述TCO材料,并且相比于金属材料与未暴露的表面部分的粘附力,提高所述金属材料与暴露的表面部分的粘附力。
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