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一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法 

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申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所

摘要:本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法,包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制,兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输,减少载流子复合,提升SHJ太阳电池转化效率。

主权项:1.一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构,其特征在于:所述SHJ太阳电池的正面和或背面包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层;所述柱状TCO层的晶粒呈现柱状生长模式,平行或近似平行于硅片表面的晶界数量少于垂直或近似垂直于硅片表面的晶界数量;所述等轴TCO层的晶粒呈现块状生长模式,平行或近似平行于硅片表面的晶界数量与垂直或近似垂直于硅片表面的晶界数量相近。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法

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