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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。通过本申请，内外双层结构导体由位于内层的铜导体和位于外层的钨导体组成，或者，由位于内层的铜导体和位于外层的钽导体组成。在放电时，一方面，由于钨或钽的电导率远低于铜的电导率，因此电流会被迫尽可能多地流经内层铜导体，几乎所有的电流都集中在内层铜导体上，沿径向向外层导体的电磁扩散效应得到了抑制；另一方面，由于钨或钽的密度远大于铜的密度，在内层导体受到巨大电磁力而发生沿径向向外的冲击变形时，外层导体发挥对内层导体的质量阻尼作用，抑制内层导体的变形，延缓内层导体的破坏时间。单匝线圈磁体的峰值磁场得到提高。
主权项：1.一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体，其特征在于，所述内外双层结构导体由位于内层的铜导体和位于外层的钨导体组成，或者，由位于内层的铜导体和位于外层的钽导体组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体
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