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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种闪存存储器的制造方法，包括：提供衬底，其上依次堆叠有浮栅介质层、浮栅材料层及硬掩模材料层；在硬掩模材料层上形成图形化的掩模，并执行图形化工艺形成沟槽贯穿硬掩模材料层、浮栅材料层及浮栅介质层，并延伸至衬底中；对硬掩模材料层执行回推工艺，使沟槽在硬掩模材料层中的开口宽度拓宽预设数值；在沟槽中填充隔离材料层，并以沟槽中的隔离材料层作为第一隔离结构；去除硬掩模材料层暴露部分第一隔离结构，并对暴露的第一隔离结构执行各项同性刻蚀，以去除厚度为预设数值的隔离材料层，并以剩余的第一隔离结构作为闪存存储器的第二隔离结构。在本发明可用于较佳地解决制备隔离结构中的空洞问题。
主权项：1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，其上依次堆叠有浮栅介质层、浮栅材料层及硬掩模材料层；在所述硬掩模材料层上形成图形化的掩模，并利用所述图形化的掩模执行图形化工艺，形成沟槽贯穿所述硬掩模材料层、所述浮栅材料层及所述浮栅介质层，并延伸至所述衬底中；对所述硬掩模材料层执行回推工艺，使所述沟槽在所述硬掩模材料层中的开口宽度拓宽预设数值；在开口拓宽的所述沟槽中填充隔离材料层，并以所述沟槽中的隔离材料层作为第一隔离结构；去除所述硬掩模材料层暴露部分所述第一隔离结构，并对暴露的所述第一隔离结构执行各项同性刻蚀，以去除厚度为所述预设数值的隔离材料层，并以剩余的所述第一隔离结构作为所述闪存存储器的第二隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存存储器的制造方法
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