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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
摘要：本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。
主权项：1.一种非晶锗硅薄膜结构，其特征在于，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层；所述U型非晶锗硅薄膜结构的U型端部与电极层连接；所述电极层覆盖所述U型非晶锗硅薄膜结构的U型端部以及外侧和内侧的高阻非晶硅层的部分区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法
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