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申请/专利权人：奥趋光电技术(杭州)有限公司

摘要：本发明公开了一种高纯氮化铝原料的制备方法，依次包括S1和S2工艺。S1为：将AlN源粉在相对低温、高氮气压、大轴向温梯保温，去除大部分粉末内含杂质、形成陶瓷体；升温至高温，转低氮气压，转小轴向温梯保温，原料发生晶化且深度去除原料表面杂质，陶瓷体转变为半晶化态烧结体。S2为：将半晶化态烧结体细碎成半晶化态颗粒料，在相对低温、低氮气压、大轴向温梯保温，去除半晶化态颗粒料表面的氧化物和碳化物杂质；升温至高温，转高氮气压，转小轴向温梯保温，半晶化态颗粒料被完全晶化，获得高纯晶化料。经过本发明方法去杂效果明显，制得的AlN原料碳、氧含量分别低至10ppmwt、100ppmwt，可用于生长高纯、高质量AlN单晶。

主权项：1.一种高纯氮化铝原料的制备方法，其特征在于：所述方法包括依次进行的工艺S1和工艺S2；所述工艺S1依次包括如下步骤：S11，将氮化铝（AlN）源粉置于半封闭的坩埚中，并将所述坩埚置于高温炉内；S12，对所述高温炉抽高真空后，加热所述源粉至相对低温T1，并通入高纯氮气达到高压P1，同时在所述坩埚内部形成大轴向温梯dT1，保温一段时间t1，形成陶瓷体；S13，升温至高温T2，氮气压转至低氮气压P2，轴向温梯转至小轴向温梯dT2，保温一段时间t2，形成半晶化态烧结体；S14，降温至室温，取出所述半晶化态烧结体；所述工艺S2依次包括如下步骤：S21，将所述半晶化态烧结体细碎化处理，并过筛得到半晶化态颗粒料；将所述半晶化态颗粒料清洗、干燥后，再次置于所述坩埚中，并将所述坩埚置于所述高温炉内；S22，对所述高温炉抽高真空后，加热所述半晶化态颗粒料至相对低温T3，并通入高纯氮气达到低压P3，同时在所述坩埚内部形成大轴向温梯dT3，保温一段时间t3；S23，升温至高温T4，氮气压转至高氮气压P4，轴向温梯转至小轴向温梯dT4，保温一段时间t4，所述半晶化态烧结体被完全晶化，形成高纯AlN原料；S24，降温至室温，取出所述高纯AlN原料；其中：步骤S12中所述T1为1700-2000℃，所述P1为80-120Kpa，所述dT1为2-5℃mm；步骤S13中所述T2为2150-2350℃，所述P2为10-40Kpa，所述dT2为0.1-1℃mm；步骤S22中所述T3为1700-2000℃，所述P3为10-40Kpa，所述dT3为2-5℃mm；步骤S23中所述T4为2150-2350℃，所述P4为80-120Kpa，所述dT4为0.1-1℃mm。

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