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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明公开了一种薄化晶硅电池及制备方法，本发明一种薄化晶硅电池，从上到下依次包括第一SiOx薄膜，第一SiNx薄膜、第二SiNx薄膜、SiO2钝化薄膜、p型单晶硅片、Al2O3薄膜、第三SiNx薄膜、第二SiOx薄膜；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p‑n结，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，选择性发射结上设有金属电极；通过本发明，可以使晶硅电池在厚度减薄的情况下，有效解决电池的光吸收及效率损失。
主权项：1.一种薄化晶硅电池，其特征在于：从上到下依次包括第一SiOx薄膜，第一SiNx薄膜、第二SiNx薄膜、SiO2钝化薄膜、p型单晶硅片、Al2O3薄膜、第三SiNx薄膜、第二SiOx薄膜；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p-n结，其中n+发射极的掺杂浓度为1.2±0.8×1019cm3，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，选择性发射结上设有金属电极；其中第二SiNx薄膜折射因子高于第一SiNx薄膜；所述的第一SiOx薄膜厚度为10-15纳米、第一SiNx薄膜厚度为35-40纳米、第二SiNx薄膜厚度为20-25纳米、SiO2钝化薄膜厚度为8-12纳米、p型单晶硅片厚度为100-140微米、Al2O3薄膜厚度为8-15纳米、第三SiNx薄膜厚度为30-45纳米，第二SiOx薄膜厚度为200-250纳米。
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