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申请/专利权人：拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型提供了一种真空卡盘及一种晶圆键合设备。所述真空卡盘包括基座层及吸附层。所述基座层的底部设有抽气口，并连接射频端，用于向所述真空卡盘的吸附层上承载的多个晶粒提供激发等离子体的射频电场。所述吸附层设于所述基座层之上，并与所述基座层之间构成抽气腔。所述吸附层上设有均匀排布的多个吸附孔，用于在等离子体活化工艺的真空环境下，向所述多个晶粒提供低于所述真空环境的第一气压的第二气压，以向各所述晶粒提供相同大小的真空吸附力。通过在作为射频电极的卡盘上设置抽气口和均匀分布的吸附孔，本实用新型可以向真空环境下的多个晶粒提供相同的吸附力，以将该多个晶粒吸附至同一平面进行等离子体活化工艺，从而提升工艺质量。
主权项：1.一种真空卡盘，其特征在于，包括：基座层，其底部设有抽气口，并连接射频端，用于向所述真空卡盘的吸附层上承载的多个晶粒提供激发等离子体的射频电场；以及所述吸附层，设于所述基座层之上，并与所述基座层之间构成抽气腔，其中，所述吸附层上设有均匀排布的多个吸附孔，用于在等离子体活化工艺的真空环境下，向所述多个晶粒提供低于所述真空环境的第一气压的第二气压，以向各所述晶粒提供相同大小的真空吸附力。
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权利要求：
百度查询： 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 真空卡盘及晶圆键合设备
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