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扎针高度动态调整方法、装置和测试平台 

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申请/专利权人:矽电半导体设备(深圳)股份有限公司

摘要:本申请实施例提供了一种扎针高度动态调整方法、装置和测试平台,属于半导体测试技术领域。该方法包括:从被测单元的多个晶粒中选取第一晶粒并将其设置为目标晶粒;获取第一预置高度并将其设置为目标高度;控制探针移动至目标高度,控制探针下移预设步距,以使探针接触目标晶粒,使电流源向目标晶粒提供电流;获取目标晶粒的电流值,根据电流值得到目标晶粒的测试结果;通过压力传感器测量目标晶粒表面的压力值,得到测量压力值;根据目标高度、测量压力值和标准压力值得到第二预置高度并将其设为目标高度;选取第二晶粒,将第二晶粒设为目标晶粒,返回控制探针移动至目标高度的步骤。本申请实施例能够提高扎针测试的稳定性以及准确性。

主权项:1.一种测试平台,其特征在于,所述测试平台包括:承片台,用于放置被测单元;其中,所述被测单元具有多个晶粒;探边器,所述探边器包括探针,所述探针用于对所述被测单元进行测试;压力传感器,所述压力传感器与所述探边器连接,所述压力传感器用于采集所述探针与所述被测单元表面的压力;电流源,所述电流源与所述探边器电连接;控制器,所述控制器与所述探边器、所述压力传感器和所述承片台通信连接,所述控制器用于:从所述被测单元的多个晶粒中选取第一晶粒,将所述第一晶粒设置为目标晶粒;获取第一预置高度,将所述第一预置高度设置为目标高度;控制所述探针移动至所述目标高度,并且控制所述探针下移预设步距,以使所述探针接触所述目标晶粒,并且使所述电流源向所述目标晶粒提供电流;获取所述目标晶粒的电流值,根据所述电流值得到所述目标晶粒的测试结果;通过所述压力传感器测量所述目标晶粒表面的压力值,得到测量压力值;根据所述目标高度、所述测量压力值和预设的标准压力值进行高度计算,得到第二预置高度,将所述第二预置高度设置为所述目标高度;从所述被测单元的多个晶粒中选取与所述第一晶粒相邻的晶粒,得到第二晶粒,将所述第二晶粒设置为目标晶粒,并且返回控制所述探针移动至所述目标高度的步骤。

全文数据:

权利要求:

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