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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明涉及一种氧化锆相变率的表征与统计方法，采用离子刻蚀法或振动抛光法消除不同掺杂量的氧化锆材料的划痕及外界应力；采用EBSD对处理后氧化锆材料样品的预选区域的进行表征；对得到的表征数据进行晶粒参照取向偏差分析，得到预选区域的应变分布图；计算发生相变的氧化锆晶粒的应变值；统计存在相变的晶粒个数、相变晶粒的面积和以及相变能，获得氧化锆相变率。与现有技术相比，本发明能够用于分析氧化锆陶瓷中微小晶格畸变诱导的相变模式；此外，三种相变率的计算方法可以从不同维度定量地统计氧化锆陶瓷的相变占比，相变率的定量统计对于氧化锆的成分掺杂调控具有指导意义。
主权项：1.一种氧化锆相变率的表征与统计方法，其特征在于，包括：采用离子刻蚀法或振动抛光法消除不同掺杂量的氧化锆材料的划痕及外界应力；采用EBSD对处理后氧化锆材料样品的预选区域的进行表征，对得到的表征数据进行晶粒参照取向偏差分析，得到预选区域的应变分布图；基于应变分布图中发生相变的氧化锆晶粒，计算每个像素点相对于起始像素的累积取向差，并计算相变晶粒两侧的累积取向差值作为一个晶粒的相变值；统计存在相变的晶粒个数、相变晶粒的面积和以及相变能，获得氧化锆相变率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种氧化锆相变率的表征与统计方法
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