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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种纳米锥结构氮化镓基光电极制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜含支撑层制备获得纳米孔掩模；将制备好的纳米孔掩模转移到氮化镓外延片上得到样片；采用沉积技术对样片进行纳米点阵列沉积；利用物理或者化学方法去除纳米孔掩模；采用刻蚀技术，以沉积的纳米点阵列为掩模对样片刻蚀，去除纳米点掩模后得到大面积高度有序的氮化镓纳米锥阵列结构。本发明利用人工低成本获得的纳米孔掩膜，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米锥阵列，从而获得纳米锥结构氮化镓基光电极。该技术的发现与突破，将使得大面积、低成本制备纳米锥结构氮化镓基光电极成为可能。
主权项：1.一种纳米锥结构氮化镓基光电极制备方法，其特征在于，通过纳米孔掩模制备进行，所述纳米孔掩模制备包括如下步骤：采用两步氧化法阳极氧化铝箔3以形成纳米孔阵列的多孔氧化铝2；在上述样品的多孔氧化铝表面2旋涂溶解有高分子聚合物1的溶剂，待凝固后以形成保护和支撑层1；采用饱和氯化铜溶液溶解掉上述样品的铝基底3；采用磷酸溶液对上述样品中的多孔氧化铝2进行开孔和加宽孔处理以形成纳米孔掩膜层2，最终形成结合纳米孔掩膜层2和支撑层1的纳米孔掩模4；所述高分子聚合物1为但不限于聚甲基丙烯酸甲酯；所述纳米孔掩膜层2的尺寸可通过调整氧化、扩孔参数而调整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北科技学院 一种纳米锥结构氮化镓基光电极制备方法
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