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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种Si衬底上生长高质量AlScN厚膜的方法，属于半导体技术领域。该方法先使用MOCVD或MBE在Si衬底上进行高质量AlN单晶层的生长，然后借助氧等离子体和热退火在MOCVDMBEAlN的表层形成α‑氧化铝，最后PVD沉积AlScN厚膜。本发明充分利用了Si衬底上易剥离AlN与α‑氧化铝上可以生长极好晶体质量的特点，生长了可用于滤波器器件的不开裂的较好晶体质量的AlScN材料。
主权项：1.一种在Si衬底上生长高质量了AlScN厚膜的方法，包括下述步骤：1在Si衬底上使用MOCVD或MBE进行AlN单晶缓冲层的生长；2通过氧等离子体处理和热退火在AlN单晶缓冲层的表层形成α-氧化铝；3在α-氧化铝表层上采用PVD沉积AlScN厚膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种Si衬底上生长高质量Al(Sc)N厚膜的方法
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