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生长高熔点氧化物晶体热场结构及导模法生长方法 

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申请/专利权人:同济大学

摘要:本发明涉及一种生长高熔点氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。该热场结构包括:内部形成有空腔的保温部;设置在所述保温部内并利用感应发热的发热部;以及安装在所述发热部内部并容纳晶体的容纳部,所述容纳部不与所述保温部空腔底部接触。与现有技术相比,本发明可生长高质量激光级的高熔点氧化物晶体,大大降低了长晶的成本,在超快超短激光应用上具有巨大的前景。

主权项:1.一种生长高熔点氧化物晶体热场结构,其特征在于,包括:内部形成有空腔的保温部1;设置在所述保温部1内并利用感应发热的发热部2;以及安装在所述发热部2内部并容纳晶体的容纳部3,所述容纳部3不与所述保温部1空腔底部接触。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 同济大学 生长高熔点氧化物晶体热场结构及导模法生长方法

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