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申请/专利权人：NANO科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种高速光电二极管，涉及高速光探测器件技术领域。所述高速光电二极管包括：第一导电类型的基底；第一导电类型的重掺杂区，形成在基底上；锗结构，形成在重掺杂区的表面上；第二导电类型的重掺杂区，形成在所述锗结构的顶部上；第一钝化层，形成在所述基底上并且覆盖所述锗结构和重掺杂区；第一电性电极部和第二电性电极部，分别形成在所述第一钝化层上，并且第一电性电极部穿过所述钝化层与所述第一导电类型的重掺杂区连接，第二电性电极部穿过所述钝化层与所述第二导电类型的重掺杂区连接；通孔，所述通孔形成在基底的背面并分别延伸至第一电性电极部和第二电性电极部；导电层，所述导电层设置在通孔中。
主权项：1.一种高速光电二极管，其特征在于，所述高速光电二极管包括：第一导电类型的基底；第一导电类型的重掺杂区，形成在所述第一导电类型的基底上；锗结构，形成在所述第一导电类型的重掺杂区的表面上；第二导电类型的重掺杂区，形成在所述锗结构的顶部上；第一钝化层，形成在所述第一导电类型的基底上并且覆盖所述锗结构、第一导电类型的重掺杂区的一部分和第二导电类型的重掺杂区；第一电性电极部和第二电性电极部，分别形成在所述第一钝化层上，并且第一电性电极部穿过所述钝化层与所述第一导电类型的重掺杂区连接，第二电性电极部穿过所述钝化层与所述第二导电类型的重掺杂区连接；通孔，所述通孔形成在第一导电类型的基底的背面并分别延伸至第一电性电极部和或第二电性电极部；导电层，所述导电层设置在通孔中并电连接至第一电性电极部和或第二电性电极部。
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权利要求：
百度查询： NANO科技(北京)有限公司 高速光电二极管
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