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申请/专利权人：浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种雪崩二极管控制器件，其包括：雪崩二极管结构和集成于所述雪崩二极管结构的直流滤波结构，通过这样的方式，所述雪崩二极管控制器件能够对所述雪崩二极管结构输出的信号进行过滤处理，进一步地，能够控制由多个雪崩二极管控制器件形成的雪崩二极管控制器件阵列输出的信号波动范围，更进一步地，可降低甚至消除雪崩二极管的雪崩电压的不均一性对信号检测准确性的影响。
主权项：1.一种雪崩二极管控制器件，其特征在于，包括：雪崩二极管结构，包括二极管主体区域和形成于所述二极管主体区域外围的隔离区域，所述二极管主体区域包括PN结、形成于所述PN结周围的光吸收区和邻近于所述光吸收区的载流子收集结构；以及集成于所述雪崩二极管结构的直流滤波结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司 雪崩二极管控制器件
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