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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在一些实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路具有设置在衬底上方的介电结构内的磁隧道结MTJ器件。MTJ器件具有设置在第一电极和第二电极之间的MTJ。第一单极选择器设置在介电结构内并且耦合到第一电极。第一单极选择器配置为允许电流沿第一方向流过MTJ器件。第二单极选择器设置在介电结构内并且耦合到第一电极。第二单极选择器配置为允许电流沿与第一方向相反的第二方向流过MTJ器件。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
主权项：1.一种集成芯片，包括：磁隧道结器件，设置在衬底上方的介电结构内，所述磁隧道结器件具有设置在第一电极和第二电极之间的磁隧道结；第一单极选择器，设置在所述介电结构内并且耦合到所述第一电极，其中，所述第一单极选择器配置为允许电流沿第一方向流过所述磁隧道结器件；以及第二单极选择器，设置在所述介电结构内并且耦合到所述第一电极，其中，所述第二单极选择器配置为允许电流沿与所述第一方向相反的第二方向流过所述磁隧道结器件，其中，所述第一单极选择器和所述第二单极选择器布置在所述衬底上方的不同距离处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成芯片及其形成方法
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