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申请/专利权人：浜松光子学株式会社
摘要：背面入射型半导体光检测装置1包括具有被二维排列的多个像素U的光检测基板10和具有对来自对应的像素U的输出信号进行处理的多个信号处理部的电路基板。光检测基板10在每个像素U中包括分别具有设置在半导体基板50的第一主面1Nb侧的受光区域S并且以盖革模式进行动作的多个雪崩光电二极管APD。在半导体基板50中，从与第一主面1Nb正交的方向观察时，沟槽13在每个像素U中包围包含受光区域S的至少一个区域α。多个信号处理部的数量比各像素U中的受光区域S的数量多，由各像素U中的沟槽13包围的区域α的数量为该像素U中的受光区域S的数量以下。
主权项：1.一种背面入射型半导体光检测装置，其特征在于，包括：光检测基板，其具有包括彼此对置的第一主面和第二主面的半导体基板，并且具有在所述半导体基板上二维排列的多个像素；和电路基板，其与所述光检测基板连接，并且具有对来自对应的所述像素的输出信号进行处理的多个信号处理部，所述光检测基板在每个所述像素具有：多个雪崩光电二极管，其分别具有设置于所述半导体基板的所述第一主面侧的受光区域，并且以盖革模式进行动作；多个灭弧电阻，其配置于所述半导体基板的所述第一主面侧，并且与对应的所述雪崩光电二极管串联地电连接；和焊盘电极，其配置于所述半导体基板的所述第一主面侧，并且与所述多个灭弧电阻电连接，所述多个雪崩光电二极管的所述受光区域在每个所述像素中二维排列，在所述半导体基板形成有在所述第一主面开口的沟槽，从与所述第一主面正交的方向观察时，所述沟槽在每个所述像素包围包含所述受光区域的至少一个区域，各所述信号处理部是通过对应的所述焊盘电极而与所述多个雪崩光电二极管电连接，并且输出与来自所述多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的前置电路，所述电路基板所具有的所述多个信号处理部的数量比各所述像素中的所述受光区域的数量多，由各所述像素中的所述沟槽包围的区域的数量为该像素中的所述受光区域的数量以下，所述第二主面是向所述半导体基板入射的光的入射面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浜松光子学株式会社 背面入射型半导体光检测装置
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