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申请/专利权人：倍测通电子科技(上海)有限公司
摘要：本实用新型涉及一种带温度补偿的GaNGaAs微波功率放大器供电时序电路，所述电路由电连接在栅极与漏极之间的2只NPN晶体管Q6、Q3、1只电流P沟道场效应晶体管Q4、2只N沟道场效应晶体管Q2、Q5、1只功率P沟道场效应晶体管Q1以及8只电阻R1‑R8组成。其工作原理既本质上保证了加电时序的正确性，电路中加入了温度补偿器件，又保证了在全温范围内的可靠性。从根本上解决了传统的供电时序控制电路存在的问题。
主权项：1.一种带温度补偿的GaNGaAs微波功率放大器供电时序电路，其特征在于，所述电路由电连接在栅极与漏极之间的2只NPN晶体管Q6、Q3、1只电流P沟道场效应晶体管Q4、2只N沟道场效应晶体管Q2、Q5、1只功率P沟道场效应晶体管Q1以及8只电阻R1-R8组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 倍测通电子科技(上海)有限公司 一种带温度补偿的GaN/GaAs微波功率放大器供电时序电路
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