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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属于太阳电池领域，公开了一种具有PEDOT:PSS石墨烯GaAs结构的太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池自下而上的结构依次包括：Au背面电极、GaAs衬底、石墨烯层、空穴传输层、减反射层、介电层和Ag正面电极，所述空穴传输层由PEDOT:PSS制备得到，该空穴传输层，利用PEDOT:PSS材料的高导电率特性和不对称的载流子选择性传输特点，将石墨烯层的空穴引到外电路，提高空穴在石墨烯层的迁移率，提升肖特基结太阳电池间的填充因子，从而显著提高肖特基结太阳电池的光电转换效率，相比于外延生长的空穴传输结构，能使肖特基结太阳电池具有更优良的电导性，且材料易得，成本低廉。
主权项：1.一种具有PEDOT:PSS石墨烯GaAs结构的太阳电池，其特征在于，其结构自下而上依次包括：背面电极、GaAs衬底、石墨烯层、PEDOT:PSS空穴传输层、减反射层、介电层和正面电极；所述PEDOT:PSS空穴传输层由PEDOT:PSS制备得到，厚度为80～120nm；所述减反射层为20～100nm厚度的Al2O3减反射层；石墨烯层为1～4层原子厚度；所述具有PEDOT:PSS石墨烯GaAs结构的太阳电池由以下方法制备：步骤一，在洁净的N型GaAs衬底的一面蒸镀背面电极，退火处理得到背面电极N型GaAs衬底；步骤二，将石墨烯层转移至步骤一N型GaAs衬底的另一面，干燥后得到背面电极N型GaAs衬底石墨烯；步骤三，将PEDOT：PSS水溶液、有机溶剂和表面活性剂混合均匀，得到PEDOT：PSS旋涂液；步骤四，将步骤三的PEDOT：PSS旋涂液旋涂到步骤二的石墨烯层上形成PEDOT:PSS空穴传输层，然后退火处理；步骤五，在步骤四的PEDOT:PSS空穴传输层上蒸镀Al2O3，得到减反射层；步骤六，在步骤五的减反射层的四周加工上介电层，再将正面电极材料涂在所述介电层与减反射层的边界处，形成正面电极，烘干，即得到具有PEDOT:PSS石墨烯GaAs结构的太阳电池；步骤二的干燥温度为100～180℃；步骤四中所述退火处理为加热至温度120～140℃，热处理时间为15～30min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种具有PEDOT:PSS/石墨烯/GaAs结构的太阳电池及其制备方法
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