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申请/专利权人：河南省科学院激光制造研究所
摘要：本发明公开了一种基于激光改质晶圆切割的多尺度对焦系统及方法，涉及晶圆激光切割对焦技术领域，解决的是由于对焦过程中反射光斑变化快、对红外激光光束质量要求高和晶圆无法与焦平面重合，导致晶圆改质切割过程中激光无法快速精确对焦的问题；多尺度对焦系统，包括红外皮秒激光器、激光光闸、近红外聚焦物镜、成像镜筒、可见光CCD、微米级激光测距传感器、工控机、真空吸盘、电控位移平台和龙门架；通过控制电控位移平台上下移动，采集焦平面区域不同高度位置的晶圆表面MARK点图像，再通过对比图像清晰度来精准判断激光焦点与晶圆表面重合度，实现了晶圆改质切割过程中的激光快速精确多尺度对焦。
主权项：1.一种基于激光改质晶圆切割的多尺度对焦系统，其特征在于：包括红外皮秒激光器1、激光光闸2、近红外聚焦物镜6、成像镜筒5、可见光CCD4、微米级激光测距传感器7、点光源3、工控机11、真空吸盘9、电控位移平台10和龙门架12；其中，红外皮秒激光器1，用于产生和发射高能量的红外激光，以照射激光光闸2；激光光闸2，用于控制红外激光的加工光路的开通或断开；点光源3，用于提供可见光；成像镜筒5，用于调整可见光的照射路径，以实现晶圆8表面MARK点成像；近红外聚焦物镜6，用于聚集经过激光光闸2的红外激光和经过成像镜筒5反射耦合的可见光，以聚焦于晶圆8表面；可见光CCD4，用于采集晶圆8表面MARK点图像；微米级激光测距传感器7，用于向晶圆8表面发送测距激光，并接收经晶圆8反射后的测距激光；工控机11，用于记录多尺度对焦系统中各物理硬件的绝对坐标位置，计算晶圆8的待位移高度，并反馈至电控位移平台10；真空吸盘9，用于承托和固定晶圆8；电控位移平台10，用于根据获取的位移高度，调整晶圆8位置于近红外聚焦物镜6的焦平面区域；龙门架12，用于固定多尺度对焦系统中的物理硬件部分。
全文数据：
权利要求：
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