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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在本申请实施例所提供的半导体器件的制造方法中，在字线形成之前，预先在平行于字线方向上的任意相邻两个半导体柱之间形成牺牲柱，然后形成位于任意相邻两个牺牲柱之间的第一介质结构，从而在去除牺牲柱后，能够使得任意相邻两个第一介质结构之间形成的沟槽的形状，与牺牲柱截面形状相匹配，能够避免该沟槽的底部宽度与上部宽度出现差异过大的情况，有利于形成截面形状为矩形的沟槽，从而能够保障字线材料在沟槽内的沉积效果，能够避免形成的字线内存在气孔，从而能够保障字线的合格率，有利于保障半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧形成多个半导体结构和用于间隔所述半导体结构的第一沟槽；形成填充所述第一沟槽的牺牲结构；图案化所述半导体结构和所述牺牲结构分别形成半导体柱和牺牲柱；形成位于每相邻两个所述半导体柱和每相邻两个所述牺牲柱之间的第一介质结构；去除所述牺牲柱，以在所述半导体柱露出的侧壁形成包括栅极的字线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 半导体器件及其制造方法
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