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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构，所述沟槽刻蚀方法包括如下步骤：提供衬底，在衬底的表面形成氧化物层和氮化物层；在氮化物层的表面涂布光刻胶层并对光刻胶层进行曝光和显影，获得图案化的光刻胶层；采用干法刻蚀工艺在衬底上形成多个第一沟槽，第一沟槽从所述氮化物层的表面延伸至所述衬底中；在所述第一沟槽的部分表面沉积刻蚀抑制剂；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一沟槽获得第二沟槽，所述第二沟槽的在垂直所述衬底的方向上的深度大于所述第一沟槽的在垂直所述衬底的方向上的深度。本发明的沟槽刻蚀方法适用于深沟槽的制备，可以大幅提升刻蚀的深沟槽的形貌及关键尺寸的可控性，从而大幅度提高对应的半导体产品的良率。
主权项：1.一种沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述沟槽刻蚀方法包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底的表面形成氧化物层和氮化物层；在所述氮化物层的表面涂布光刻胶层并对所述光刻胶层进行曝光和显影，获得图案化的光刻胶层；采用干法刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一沟槽，所述第一沟槽从所述氮化物层的表面延伸至所述衬底中；在所述第一沟槽的部分表面沉积刻蚀抑制剂；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一沟槽获得第二沟槽，所述第二沟槽的在垂直所述衬底的方向上的深度大于所述第一沟槽的在垂直所述衬底的方向上的深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构
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