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申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅沟槽半导体器件，具有一个重掺杂第一导电类型的碳化硅衬底和一个轻掺杂第一导电类型的碳化硅漂流区，碳化硅漂流区位于碳化硅衬底上方。漂流区中的第一本体区掺杂第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。第一本体区中的第一源极区重掺杂第一导电类型。栅极沟槽形成在第一源极区和第一本体区中。栅极沟槽的至少一个侧壁并行于碳化硅衬底的一个晶面，该晶面的载流子迁移率比C‑面更高。栅极沟槽将第一本体区和源极区的长度延伸到分离区域，分离区域位于第一区横向附近，其中分离区域形成在漂流区中。
主权项：1.一种碳化硅沟槽半导体器件，其特征在于，包括：一个碳化硅衬底，重掺杂第一导电类型；一个第一导电类型的轻掺杂碳化硅漂流区，在碳化硅衬底上方；一个第一本体区，在漂流区中，掺杂第二导电类型，其中第二导电类型与第一导电类型相反；一个第一源极区，在第一本体区中，重掺杂第一导电类型；以及一个栅极沟槽，形成在第一源极区和第一本体区中，其中栅极沟槽的至少一个侧壁平行于碳化硅结构的一个晶面，其载流子迁移性比碳化硅结构的C-面更高，其中栅极沟槽沿第一本体区和第一源极区的长度水平方向上延伸到第一本体区附近的一个分离区域，其中该分离区域在漂流区中；在漂流区中一个重掺杂第二导电类型的第二本体区，以及一个在第二本体区中重掺杂第一导电类型的第二源极区，其中第一和第二本体区被分离区域隔开，其中栅极沟槽延伸分离区域的长度穿过第二本体区和第二源极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 碳化硅沟槽半导体器件
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