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申请/专利权人：边际科技(珠海)有限公司
摘要：本发明涉及一种集成平面透镜的雪崩二极管阵列器件及其制备方法，该器件的n区衬底的一侧端面具有n区欧姆联接层，另一侧端面设有由7个单模APD探测器构成的APD探测器阵列，其中6个单模APD探测器环形阵列分布在1个单模APD探测器的四周，相邻两个单模APD探测器的中心间距相等；n区衬底的另一侧端面还具有p区欧姆联接层，p区欧姆联接层的一侧表面具有硬掩模基底垫层，硬掩模基底垫层的一侧表面具有平面透镜纳米单元阵列区，通过该平面透镜纳米单元阵列区实现亚波长的聚焦效果，使入射光线变成汇聚的光束，有效聚焦到光电二极管的光敏区域上充分利用，同时减小了到达受光面上的面积，等效提高填充系数，提升光电转换效率，提高探测灵敏度。
主权项：1.一种集成平面透镜的雪崩二极管阵列器件，其特征在于，包括有n区衬底（101），所述n区衬底（101）的一侧端面具有n区欧姆联接层（301），所述n区衬底（101）与具有n区欧姆联接层（301）的一侧端面相对的另一侧端具有APD探测器阵列，所述APD探测器阵列由7个单模APD探测器（100）构成，其中6个单模APD探测器（100）环形阵列分布在1个单模APD探测器（100）的四周，且相邻两个单模APD探测器（100）之间的中心间距相等；所述n区衬底（101）的另一侧端面还具有p区欧姆联接层（302），所述p区欧姆联接层（302）覆盖住所述APD探测器阵列；所述p区欧姆联接层（302）远离所述APD探测器阵列的一侧表面具有硬掩模基底垫层（400）；所述硬掩模基底垫层（400）远离所述p区欧姆联接层（302）的一侧表面具有平面透镜纳米单元阵列区（401），所述平面透镜纳米单元阵列区（401）正对着所述APD探测器阵列。
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