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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所

摘要：本发明公开了基于无源集成器件的电流传感器及其制备方法，涉及微电子技术领域，该硅基板包括硅基板，硅基板贯穿有穿插待测导线的第一通孔，围绕第一通孔环设的多个第二通孔；各个导线柱之间通过互联线相连形成罗氏线圈的传感结构；硅基板的第一表面淀积有片上电阻和第一电极，传感结构的第一输出端串联片上电阻和第一电极；第一表面相对的第二表面淀积有第二电极，传感结构的第二输出端连接第二电极共同形成片上电容，含电流传感器的硅基板不仅具备正常的功能，还具备内部关键电流信号监测的功能，功能更加丰富，使得该硅基板在工作状态下即能获得内部关键电流信号特征。

主权项：1.基于无源集成器件的电流传感器的制备方法，用于制备基于无源集成器件的电流传感器，其特征在于，所述电流传感器包括硅基板，所述硅基板贯穿有用于穿插待测导线的第一通孔，围绕所述第一通孔环设的多个第二通孔；所述第二通孔内穿插有导线柱，且各个所述导线柱之间通过互联线相连，并形成罗氏线圈的传感结构；所述硅基板的第一表面淀积有片上电阻和第一电极，所述传感结构的第一输出端依次串联所述片上电阻和所述第一电极；与所述第一表面相对的第二表面淀积有第二电极，所述传感结构的第二输出端连接所述第二电极，且所述第二电极与所述第一电极相对设置，并共同形成片上电容，所述片上电容的第一电极和第二电极形成用于获得待测导线的电流信号的电压输出端；所述第一通孔的轴线方向与各个所述第二通孔的轴线方向平行；所述第一通孔和所述第二通孔的内壁均经过金属化处理；制备方法包括以下具体步骤：在硅基板上通过刻蚀得到第一通孔和第二通孔；在所述硅基板的第一表面光刻得到分别与互联线、片上电阻、第一电极对应的第一结构图形，在所述硅基板的第二表面光刻得到分别与互联线和第二电极对应的第二结构图形；根据所述片上电阻和所述第一电极对应的第一结构图形，以及所述第二电极对应的第二结构图形，在所述第一表面和所述第二表面上磁控溅射并淀积得到第一金属层，并通过电镀对所述第一金属层进行加厚，得到所述片上电阻、所述第一电极和所述第二电极；根据互联线在所述第一表面上的第一结构图形和在所述第二表面上的第二结构图形，在所述第一表面和所述第二表面上磁控溅射并淀积得到第二金属层，并通过电镀对所述第二金属层进行加厚，得到所述互联线；在进行光刻得到所述第一结构图形和所述第二结构图形前，所述方法还包括：在所述第一表面或所述第二表面，以及所述第一通孔的内壁和所述第二通孔的内壁磁控溅射并淀积得到介质层；在所述介质层上电镀得到厚金属层，并通过化学机械抛光去除所述第一表面或所述第二表面的厚金属层，得到进行金属化处理的第一通孔和第二通孔。

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