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申请/专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司;华润微电子控股有限公司
摘要：本发明提供一种软恢复二极管及制作方法，该方法包括：提供一衬底，衬底划分为有源区和终端区，衬底包括第一导电类型掺杂的阴极区和位于阴极区上方的第一导电类型掺杂的漂移区；于漂移区中形成第二导电类型掺杂的阳极区；于阳极区中形成第一导电类型掺杂的短路区；于有源区上形成正面金属层，正面金属层分别与阳极区的上表面及短路区的上表面电连接；于衬底的下表面形成背面金属层，背面金属层与阴极区电连接。本发明中于阳极区中设置短路区，短路区阳极区阴极区构成EB短路的三极管，在正向导电时EB短接使得电流从BC结正常流通，反向关断时会退出三极管的饱和状态然后再按正常二极管的关断，通过配比三极管和二极管实现软度的调控。
主权项：1.一种软恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底划分为有源区和环绕所述有源区的终端区，其中，所述衬底包括第一导电类型掺杂的阴极区和第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区位于所述阴极区的上方，且所述漂移区的掺杂浓度小于所述阴极区的掺杂浓度；于所述漂移区中形成第二导电类型掺杂的阳极区；于所述阳极区中形成第一导电类型掺杂的短路区，且所述短路区位于所述有源区中；于所述有源区上形成正面金属层，所述正面金属层分别与所述阳极区的上表面及所述短路区的上表面电连接；于所述衬底的下表面形成背面金属层，所述背面金属层与所述阴极区电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡华润华晶微电子有限公司 华润微电子控股有限公司 一种软恢复二极管及制作方法
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