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β-Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法、装置及终端设备 

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申请/专利权人:哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

摘要:本申请适用于半导体技术领域,提供了一种β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法、装置及终端设备,所述三维温度分析方法包括:在所述阳极和所述阴极之间的β‑Ga2O3层表面区域设置多个标记点;在每个标记点上沿所述β‑Ga2O3层的厚度方向延伸的直线上测量得到多个点位的拉曼数据,结合所述每个点位对应材料的温度系数,确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的测量三维温度;其中,每个点位的深度不同;根据预设的三维电热耦合仿真模型,生成所述β‑Ga2O3基半导体器件的模拟三维温度;根据所述测量三维温度和所述模拟三维温度的平均温差,结合预设温差阈值,确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度。通过上述方案,实现β‑Ga2O3基半导体器件热特性的精确表征。

主权项:1.一种β-Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法,所述β-Ga2O3基半导体器件包括β-Ga2O3层、异质层以及位于所述β-Ga2O3层上方的电极层,所述电极层包括同层交替设置的至少一个阳极和至少一个阴极,其特征在于,所述三维温度分析方法包括:在所述阳极和所述阴极之间的β-Ga2O3层表面区域设置多个标记点;在每个标记点上沿所述β-Ga2O3层的厚度方向延伸的直线上测量得到多个点位的拉曼数据,结合所述每个点位对应材料的温度系数,确定所述β-Ga2O3基半导体器件的测量三维温度;其中,每个点位的深度不同;根据预设的三维电热耦合仿真模型,生成所述β-Ga2O3基半导体器件的模拟三维温度;根据所述测量三维温度和所述模拟三维温度的平均温差,结合预设温差阈值,确定所述β-Ga2O3基半导体器件的三维温度。

全文数据:

权利要求:

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