龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于碳化硅上硅衬底的紫外光电探测器及其制备方法。本发明紫外光电探测器由基于碳化硅上硅衬底的场效应晶体管与碳化硅衬底上MSM探测器组合构成，晶体管与MSM探测器结构位置呈横向水平分布；探测器的一端金属电极与晶体管栅极连通；MSM器件用于光探测，主要对紫外波段光吸收响应，当紫外波段光照射到碳化硅层时，光子的能量被碳化硅吸收，产生电子‑空穴对；加在电极两端电压构成的电场促使载流子分离，产生的电信号通过晶体管构成高增益输出。探测过程使晶体管阈值电压下降，沟道区电导增加，导致漏极电流的显著提升。本发明可满足高量子效率、高灵敏度、高响应度以及低工作电压的探测需求。
主权项：1.一种基于碳化硅上硅衬底的紫外光电探测器，其特征在于，由基于碳化硅上硅衬底的场效应晶体管与碳化硅衬底上MSM探测器组合构成，晶体管与MSM探测器结构位置呈横向水平分布；MSM探测器中的一端金属电极与场效应晶体管栅极连通；MSM探测器用于光探测，由于碳化硅禁带宽度大，主要对紫外波段光吸收响应，当紫外波段光照射到碳化硅层时，光子的能量被碳化硅吸收，产生电子-空穴对；加在电极两端电压构成的电场促使这些载流子分离，产生的电信号通过场效应晶体管构成高增益输出；探测过程使场效应晶体管阈值电压下降，沟道区电导增加，导致漏极电流的显著提升；所述紫外光电探测器具体包括碳化硅衬底1，顶层硅2,晶体管源区3，晶体管漏区4，晶体管源极金属接触5，晶体管漏极金属接触6，插指金属接触7，栅氧化层8，栅极金属接触9，探测器一端金属电极接触10，探测器另一端金属电极接触11；其中，MSM探测器结构基于碳化硅材料实现，其衬底为碳化硅，或氮化镓、铝镓氮或氮化硼半导体；场效应晶体管结构基于硅材料实现，其沟道为硅，或为锗、锗硅、氮化镓或铟镓砷半导体；其栅氧化层为二氧化硅，或为氧化铝或氧化铪绝缘材料；其金属接触为金、钨或铝，其后道互连线为铜或铝。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种基于碳化硅上硅衬底的紫外光电探测器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号