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申请/专利权人：光科芯图(北京)科技有限公司
摘要：本发明涉及极紫外光刻领域，特别涉及一种靶材料的极紫外光源的产生方法及装置，本发明的靶材料的极紫外光源的产生方法包括以下步骤：获取特定靶材料，将特定靶材料气化形成靶气体；将预设流量比例的缓冲气体及靶气体形成混合气体；将所述混合气体进行预电离为各自低价态离子并生成初始等离子体回路；对低价态离子进行强电离形成各自的高价态离子；靶气体的高价态离子在回路中电流产生的磁场下被箍缩产生极紫外光。金属特定靶材料的极紫外光转换效率比稀有气体的转换效率高2‑3倍，缓冲气体电离出游离态电子，为等离子体系提供足够的电子，提高平均电子密度，进而提升13.5nm波长的EUV输出效率。
主权项：1.一种靶材料的极紫外光源的产生方法，其特征在于：具体包括以下步骤：获取特定靶材料，将特定靶材料气化形成靶气体；将预设流量比例的缓冲气体及靶气体混合形成混合气体；将所述混合气体进行预电离为各自低价态离子并生成初始等离子体回路；对低价态离子进行强电离形成各自的高价态离子；所述靶气体的高价态离子在回路中电流产生的磁场下被箍缩产生极紫外光。
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百度查询： 光科芯图(北京)科技有限公司 靶材料的极紫外光源的产生方法及装置
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