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一种负极材料及其制备方法、电化学装置及电子装置 

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申请/专利权人:上海纳诺米特科技有限公司

摘要:本发明提供了一种复合负极材料及其制备方法、二次电池和电子装置。本发明的复合负极材料在X射线衍射光谱中具有属于Si111的衍射峰,并且由上述衍射峰算出的硅微晶的大小为0.2nm~10nm;本发明提供的复合负极材料,具有低的DQDV主次峰强比,其范围满足如下关系式:DQDV主次峰强比=I2‑I3I1‑I31;该复合负极材料的振实密度为TD,TD优选的范围为0.3TD1.4,本发明提供的复合负极材料具有低的封闭孔面积占比,100nm封闭孔面积占比20%;该复合负极材料包含多孔碳载体和填充于多孔碳载体内外的含硅材料;所述复合负极材料具有高首次效率80‑96%,高理论容量600‑2500mAhg;此复合负极材料大幅改善电池的膨胀、循环稳定性,倍率性能。

主权项:1.一种复合负极材料,其包含多孔碳载体、和附着于多孔碳载体上的含硅材料,具有多孔碳载体分散有低结晶硅的结构,其中,复合负极材料在X射线衍射光谱中具有属于Si111的衍射峰,并且由上述衍射峰算出的硅微晶的大小为0.2nm~10nm。所述的复合负极材料,其特征在于:1该复合负极材料,具有低的DQDV主次峰强比,其范围满足如下关系式:DQDV主次峰强比=I2-I3I1-I312该复合负极材料的振实密度为TD,TD优选的范围为0.3TD1.4,3该复合负极材料具有低的封闭孔面积占比,100nm封闭孔面积占比20%。

全文数据:

权利要求:

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