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申请/专利权人：南方科技大学;合肥国家实验室
摘要：本发明提出了一种三维集成量子芯片及其制备方法，在封装后的扫描隧道显微镜氢掩膜直写精密器件的外延生长层表面制作用于定位的金属标记；通过扫描探针显微镜扫描金属标记，实现器件三维精确定位；生长栅氧化层后，在其上利用金属标记的定位作用进行写场套刻，制作顶电极、多层堆叠电极或硅通孔立体电极。本实施例所述制备方法，利用扫描探针显微镜实现了高精度的三维集成加工，为硅基半导体量子计算、量子模拟以及量子芯片等提供了重要技术支持。
主权项：1.一种三维集成量子芯片的制备方法，其特征在于，包括在扫描隧道显微镜氢掩膜直写技术加工的器件的封装层表面加工用于定位的金属标记；利用扫描探针显微镜扫描带有所述金属标记的器件，得到扫描图像；在表面带有所述金属标记的器件上生长栅氧化层；利用扫描图像和所述金属标记在所述栅氧化层上套刻制作顶电极或者多层堆叠电极或者硅通孔立体电极，得到制备而成的三维集成量子芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南方科技大学 合肥国家实验室 一种三维集成量子芯片及其制备方法
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