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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底具有位于有源层与基础层之间的绝缘体层。半导体器件及浅沟槽隔离结构设置在绝缘体上硅衬底的前侧上。半导体芯结构连续地环绕半导体器件且穿过浅沟槽隔离结构并朝绝缘体上硅衬底的后侧延伸。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分环绕半导体芯结构的第一最外侧壁及第二最外侧壁。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分分别具有第一突起及第二突起。第一突起及第二突起配置在浅沟槽隔离结构与绝缘体上硅衬底的绝缘体层之间。
主权项：1.一种集成芯片，包括：绝缘体上硅衬底，包括位于有源层与基础层之间的绝缘体层；半导体器件，设置在所述绝缘体上硅衬底的前侧上；浅沟槽隔离结构，位于所述绝缘体上硅衬底的所述前侧上；半导体芯结构，连续地环绕所述半导体器件且在第一方向上从所述绝缘体上硅衬底的所述前侧朝所述绝缘体上硅衬底的后侧延伸，其中所述半导体芯结构延伸穿过所述浅沟槽隔离结构；以及第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分，分别环绕所述半导体芯结构的第一最外侧壁及所述半导体芯结构的第二最外侧壁，其中所述第一绝缘体衬垫部分包括配置在所述浅沟槽隔离结构与所述绝缘体层之间的第一突起，其中所述第一突起在与所述第一方向不同的第二方向上远离所述半导体芯结构的所述第一最外侧壁延伸，且其中所述第二绝缘体衬垫部分包括配置在所述浅沟槽隔离结构与所述绝缘体层之间的第二突起，其中所述第二突起在与所述第二方向相反的第三方向上远离所述半导体芯结构的所述第二最外侧壁延伸。
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