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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，所述方法在形成高K栅介质层之后，直接采用物理气相沉积工艺在栅开口内形成伪金属栅极，可以显著降低界面缺陷电荷密度；在刻蚀去除伪金属栅极之后，对所述高K栅介质层执行沉积后退火，可以抑制后续采用原子层沉积工艺在所述栅开口内形成金属栅极时所导致的界面缺陷电荷密度的增加，进一步降低缺陷电荷密度，显著降低低频噪声，提高所形成的半导体结构的性能，可以提高所形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有介质层和位于所述介质层中的栅开口；沉积形成覆盖所述栅开口的底部和侧壁的高K栅介质层；采用物理气相沉积工艺在所述栅开口内形成伪金属栅极；去除所述伪金属栅极之后对所述高K栅介质层执行沉积后退火，所述沉积后退火的工艺参数包括：气氛包括NH3，温度为300-1000℃，时间为10-600s；采用原子层沉积工艺在所述栅开口内形成金属栅极。
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