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申请/专利权人：南京邮电大学;湖州深芯智能科技有限公司

摘要：本发明公开了一种有源驱动电路及Micro‑LED器件多色显示方法，属于半导体光电器件驱动技术领域。有源驱动电路包括记忆存储器件、分压电阻和薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极连接驱动电源、源极与Micro‑LED器件串联后接地；记忆存储器件与分压电阻串联后分别连接驱动电源与接地，记忆存储器件与分压电阻的中间节点连接至薄膜晶体管的栅极；记忆存储器件与分压电阻连接的一侧引出外部管脚，用于从外界输入控制信号，以控制改变记忆存储器件的阻值，从而改变Micro‑LED器件的发光颜色。本发明能够在非常简单的电路结构基础上，实现灵活稳定且精确的Micro‑LED多色显示控制效果。

主权项：1.一种基于记忆存储器件的有源驱动电路，其特征在于，包括记忆存储器件、分压电阻和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极连接驱动电源，所述薄膜晶体管的源极与Micro-LED器件串联后接地；所述记忆存储器件与分压电阻串联后一端连接驱动电源，另一端接地，所述记忆存储器件与分压电阻的中间节点连接至薄膜晶体管的栅极；所述记忆存储器件与分压电阻连接的一侧引出外部管脚，所述外部管脚用于从外界输入控制信号，以控制改变记忆存储器件的阻值，从而改变Micro-LED器件的发光颜色；所述记忆存储器件的伏安特性呈现典型的非线性电阻特性，通过在记忆存储器件两端施加控制信号，所述记忆存储器件的电阻值在高电阻状态和低电阻状态以及若干中间状态之间进行可逆切换；所述记忆存储器件具有记忆特性，且该记忆特性具有非易失性，当撤去记忆存储器件两端的控制信号时，其阻值保持当前状态不变；所述有源驱动电路具有记忆特性，当记忆存储器件处于某一确定阻值状态时，薄膜晶体管的栅极对应处于某一确定电压值，通过Micro-LED器件的电流密度也处于某一确定值，Micro-LED器件此时也对应处于某一确定发光波长，由此将Micro-LED器件的不同发光波长对应存储为记忆存储器件的不同阻值；所述有源驱动电路的记忆特性具有非易失性，当断开驱动电源时，所述记忆存储器件的阻值保持当前状态不变，再次连接驱动电源后，所述记忆存储器件的阻值将依然维持原状态，对应Micro-LED器件的发光波长也将保持不变。

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